Область научных интересов
Полупроводники; математическое моделирование физических процессов; измерительные системы.
Область знаний (по классификатору ОЭСР)
Физика конденсированного состояния (UK).
Кандидат технических наук, доцент кафедры полупроводниковой электроники и физики полупроводников
2014 г. МИСиС, кандидат технических наук.
2011 г. МИСиС, высшее специальное образование (микроэлектроника и твердотельная электроника).
Основные результаты деятельности
Была предложена методика для анализа релаксационных кривых ёмкости при переключении напряжения, приложенного к диоду Шоттки. Методика заключается в рассмотрении кривой как зависимости производной ёмкости от логарифма времени. При таком рассмотрении каждая моноэкспонциальная кривая, дающая вклад в релаксационную кривую, представляется в виде отдельного пика и может быть выделена с большой точностью.
Основные результаты и применение описано в статье “Polyakov A.Y., et al. Current relaxation analysis in AlGaN/GaN high electron mobility transistors ‘Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics’. v.35, i.1, 2017. p.011207-(1-10)”.
Индекс Хирша по Scopus — 15.
Количество статей по Scopus — 75.
SPIN РИНЦ:
ORCID: 0000-0001-9193- 8106.
ResearcherID: A-8094-2014.
Scopus AuthorID: 57189494220.
Значимые публикации
- Anfimov I.M., Anfimov M.V., Egorov D.S., Kobeleva S.P., Pushkov K.V., Schemerov I.V., Yurchuk S.Yu., “IOP Conference Series: Materials Science and Engineering”. v.474, 2019. p.012011. DOI: 10.1088/1757-899X/474/1/012011.
- Wideband semiconductors (GaN, Ga2O3, AlGaN): Deep traps determining the non-radiative lifetime and defect band yellow luminescence in n-GaN. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Yakimov E.B., Tarelkin S.A., Turutin A.V., Shemerov I.V., Pearton S.J., Bae K.B., Lee I.H. “Journal of Alloys and Compounds”. v.686, 2016. p.1044-1052. DOI: 10.1016/j.jallcom.2016.06.297.
- Perovskites characterisation: Trap states in multication mesoscopic perovskite solar cells: A deep levels transient spectroscopy investigation. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Saranin D.S., Le T.S., Didenko S.I., Kuznetsov D.V., Agresti A., Pescetelli S., Matteocci F., Di Carlo A. “Applied Physics Letters”. v.113, i.26, 2018. p.263501. DOI: 10.1063/1.5053845.
- Radiation effects in single-crystal silicon: Registration of selective separation effect of thermal neutrons: substantiation, experiments. Anfimov I.M.. Varlachev V.A., Drobyshevsky Yu.V., Kobeleva S.P., Nekrasov S.A., Prokhorov A.K., Stolbov S.N., Shchemerov I.V., Egorov D.S. “Voprosy atomnoy nauki i tekhniki. Seriya: Fizika radiatsionnogo vozdeystviya na radioelektronnuyu apparaturu” (Questions of atomic science and technology. Series: Physics of Radiation Effects on Electronic Equipment). 2016. N.1. pp.24-30.
- Mathematical models in physics. Current relaxation analysis in AlGaN/GaN high electron mobility transistors. Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Shchemerov I.V., Lee I.H., Jang T., Dorofeev A.A., Gladysheva N.B., Kondratyev E.S., Turusova Y.A., Zinovyev R.A., Turutin A.V., Ren F., Pearton S.J. “Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics”. v.35, i.1, 2017. p.011207-(1-10). DOI: 10.1116/1.4973973.
Преподавание
НИТУ “МИСиС”, магистерский курс “Методы характеризации полупроводниковых материалов и приборов”,
